平成30年度 秋期 応用情報技術者 問10

正解 イ

相変化メモリは、物質の結晶状態と非結晶（アモルファス）状態で電気抵抗が変わることを利用して記憶する不揮発性メモリです。

相変化メモリ（PCM（Phase Change Memory））は、カルコゲナイド合金などの材料を電流による熱で結晶状態と非結晶状態に切り替えます。結晶状態は電気抵抗が低く、非結晶状態は電気抵抗が高くなります。この抵抗の違いを0と1に対応させて記憶します。電源を切っても状態が保たれるので不揮発性です。問題文の「相変化」が、結晶と非結晶の状態の変化を指しています。

ア：一度だけ書込みが可能な不揮発性メモリは、PROM（Programmable Read Only Memory）のうちのワンタイムPROMです。

ウ：フリップフロップ回路で構成された揮発性メモリは、SRAM（Static Random Access Memory）です。

エ：リフレッシュ動作が必要な揮発性メモリは、DRAM（Dynamic Random Access Memory）です。コンデンサの電荷で記憶するため、定期的に再書込みが必要です。

出典：平成30年度 秋期 応用情報技術者試験 問10