平成30年度 春期 応用情報技術者 問10

正解 エ

NAND型フラッシュメモリは、ページ単位で書込みと読出しを行います。消去はブロック単位です。

NAND型フラッシュメモリは、メモリセルを直列につないだ構造です。このため、バイト単位での読み書きはできません。複数バイトからなるページ単位で書込みと読出しを行います。消去は複数ページをまとめたブロック単位で行います。集積度が高く大容量化しやすいので、SSD（Solid State Drive）やUSBメモリ、SDカードに使われます。

ア：NAND型は、書込みをバイト単位で行えません。書込みも読出しもページ単位です。

イ：バイト単位で読み書きできるのは、セルを並列につないだNOR型や、EEPROMの特徴です。

ウ：NAND型は、読出しもバイト単位では行えません。書込みと同じくページ単位です。

出典：平成30年度 春期 応用情報技術者試験 問10