令和4年度 秋期 応用情報技術者 問22

正解 エ

フラッシュメモリは上書きができず、ブロック単位で消去してから書き込みます。

フラッシュメモリは、電源を切ってもデータが消えない不揮発性の半導体メモリです。データを書き換えるときは、まずブロック単位で前のデータを消去します。消去した領域に新しいデータを書き込みます。消去と書込みは回路基板に載せたまま、電気的に行えます。

ア：フラッシュメモリの書換え回数には上限があります。書換えを繰り返すと素子が劣化します。

イ：EPROM（Erasable Programmable ROM）は、基板から外して紫外線で消去し、ROMライターで書き込むメモリです。

ウ：DRAM（Dynamic RAM）は、コンデンサの電荷が抜けるため、定期的なリフレッシュが必要なメモリです。

出典：令和4年度 秋期 応用情報技術者試験 問22