平成28年度 秋期 応用情報技術者 問21

正解 エ

フラッシュメモリは、ブロック単位で電気的に内容を一括消去できる不揮発性メモリです。

フラッシュメモリは、電源を切っても内容が消えない不揮発性の半導体メモリです。書込み前の消去を、ブロック単位でまとめて電気的に行います。そのため、バイト単位で書き換えるメモリより書換えは遅く、書換え回数にも上限があります。USBメモリやSSD（Solid State Drive）などに使われます。

ア：高速に書き換えられ、キャッシュメモリに用いられるのはSRAM（Static Random Access Memory）です。

イ：紫外線を当てて全内容を消去するのはUV-EPROM（Ultra-Violet Erasable Programmable ROM）です。

ウ：周期的な再書込み（リフレッシュ）が必要なのはDRAM（Dynamic Random Access Memory）です。

出典：平成28年度 秋期 応用情報技術者試験 問21